Bine aţi venit la Institutul de Inginerie Electronica şi Nanotehnologii “D. Ghiţu”

Se anunţă susţinerea tezei de doctor


Se anunţă susţinerea tezei de doctor

Pretendent: Dumitru Untila.

Conducător / consultant ştiinţific: acad. Valeriu Canţer / dr. hab., conf. univ. Igor Evtodiev

Consiliul ştiinţific specializat: D 24.133.04-01.

Tema tezei:  Structuri nanolamelate din semiconductori stratificaţi cu funcţionalităţi optice și fotoelectrice avansate.

Specialitatea: 133.04 – Fizica stării solide.

Data: 7 aprilie 2017

Ora: 15.00

Local: Biroul 118, Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii „D. Ghiţu” al AŞM, str. Academiei 3/3, Chişinău, MD 2028, Republica Moldova.

Principalele publicaţii ştiinţifice la tema tezei ale autorului:

1. Evtodiev, I.; Caraman, I.; Kantser, V.; Untila, D.; Rotaru, I.; Dmitroglo, L.; Evtodiev, S.; Caraman, M. Crystalline structure and surface morphology of AIIIBVI type lamellar semiconductor nanocomposites obtained by heat treatment in Cd and Zn vapor. In: Tiginyanu, I.; Topala, P.; Ursaki, V. (ed.). Nanostructures and thin films for multifunctional applications: technology, properties and devices. Springer international publishing, 2016, 333-379.

2. Caraman, I.; Dmitroglo, L.; Evtodiev, I.; Leontie, L.; Untila, D.; Hamzaoui, S.; Zerdali, M.; Șușu, O.; Bulai, G.; Gurlui, S. Optical properties of ZnO thin films obtained by heat treatment of Zn thin films on amorphous SiO2 substrates and single crystalline GaSe lamellas. In: Thin Solid Films (2016), doi: 10.1016/j.tsf.2016.01.027 (IF: 1,759, 2014/2015)

3. Caraman, I.; Racoveț, O.; Untila, D.; Evtodiev, S.; Stamate, M. Quantitative determinations of carbon oxides from atmosphere after electronic absorption spectra. In: Environmental Engineering and Management Journal. 2012, 11 (12), 2159-2162. IF 1,117 (2012).

4. Caraman, I.; Spalatu, N.; Evtodiev, I.; Untila, D.; Leontie, L.; Caraman, M. Photoelectric and photoluminescent properties of CdTe-GaTe composite. In: Phys. Status Solidi B (2016), 10.1002/pssb.201600485 (IF: 1,489).

5. Caraman, I.; Untila, D.; Evtodiev, I.; Kantser, V.; Spalatu, N.; Rusu, D.; Luchian, E.; Rotaru,

I. Analysis of optical properties and structure of GaTe-CdTe nanocomposite. In: Chalcogenide Letters 2015, 12 (12), 683-692. IF: 0,913.

6. Spalatu, N.; Evtodiev, I.; Caraman, I.; Evtodiev, S.; Rotaru, I.; Caraman, M.; Untila, D. Optical anisotropy properties of GaTe-ZnTe nanolamellar composite. In: Energy Procedia 2015, 84, 176-182. SNIP: 0,786.

7. Untila, D.; Caraman, I.; Evtodiev, I.; Kantser, V.; Spalatu, N.; Leontie, L.; Dmitroglo, L.; Luchian, E. Crystalline structure, surface morphology and optical properties of nanolamellar composites obtained by intercalation of InSe with Cd. In: Energy Procedia 2015, 84, 149-155. SNIP: 0,786.  

 

Rezumatul tezei

 

1. Problematica abordată: elaborarea procedeelor de obținere a materialelor cu proprietăți optice, fotoelectrice și luminescente avansate pe baza semiconductorilor lamelari din grupa AIIIBVI dopați cu elemente chimice din grupa pământurilor rare și a compozitelor nanolamelare din semiconductori AIIIBVI și AIIBVI și stabilirea direcțiilor aplicative a acestor materiale în domeniul opticii interferențiale, opto- și fotoelectronicii domeniului vizibil și IR apropiat.

 

2. Conţinutul de bază al tezei: analiza stării actuale a procedeelor de obținere a materialelor cu proprietăți optice, fotoelectrice și luminescente avansate pe baza semiconductorilor lamelari din grupa AIIIBVI dopați cu elemente chimice din grupa pământurilor rare și a compozitelor nanolamelare din semiconductori AIIIBVI și AIIBVI, creșterea monocristalelor GaS, GaSe, GaTe, InSe, GaS:Eu, GaSe:Eu; stabilirea omogenităţii distribuţiei europiului în monocristalele GaS(Se) și influenţei concentraţiei dopantului asupra intensităţii și mecanismelor de relaxare a fotoluminescenţei și fotoconductibilității; stabilirea compoziţiei materialului obţinut prin tratament termic al cristalelor AIIIBVI, în vapori de Cd și de Zn, și a transformărilor structurale și morfologice la suprafaţa împachetărilor elementare; studiul spectrelor de absorbţie în regiunea marginii benzii fundamentale a monocristalelor de GaS(Se) dopate cu Eu și stabilirea mecanismelor de interacţiune a excitonilor cu excitaţiile ionului de Eu; studiul spectrelor FTIR și Raman a monocristalelor primare și a compozitelor cu semiconductori AIIBVI, determinarea energiei și tipul fononilor fundamentali; studiul proprietăţilor fotoelectrice și a mecanismelor de generare-recombinare a purtătorilor de sarcină de neechilibru ale structurilor nanocompozite cu semiconductori AIIIBVI și AIIBVI, și stabilirea diagramei nivelelor energetice formate în rezultatul dopării și intercalării.

 

 3. Principalele rezultate obţinute:

Intercalarea monocristalelor GaS(Se, Te) și InSe cu Cd(Zn) duce la formarea compozitelor lamelare alcătuite din cristalite de semiconductori AIIIBVI și AIIBVI cu dimensiuni submicrometrice.

Perfecțiunea structurală a monocristalelor lamelare GaS(Se, Te) și InSe, temperatura și durata tratamentului termic ale acestora în vapori de Cd(Zn) determină compoziția materialului obținut, dimensiunile cristalitelor, proprietățile vibraționale ale rețelei cristaline și morfologia suprafeței în compozitele microcristaline din semiconductori AIIIBVI-AIIBVI.

Transformările structurale generate de dispersarea monocristalelor GaS(Se, Te) și InSe, și formarea compozitelor acestora cu semiconductorii Cd(S, Se, Te) și ZnS(Se, Te) determină structura nivelelor energetice din banda interzisă, procesele de relaxare a fotoluminescenței și fotoconductibilitate în compozitele nanolamelare AIIIBVI-AIIBVI.

Europiul ca dopant determină procesele radiative în semiconductori lamelari alcătuite din împachetări stratificate legate cu forțe polarizaționale a compușilor galiului cu sulful și seleniul.

 Tranzițiile electronilor pe nivelele energetice ale ionilor de Eu formează marginea benzilor de absorbție fundamentală și structura benzii de fotoconductibilitate a monocristalelor de GaS:Eu și GaSe:Eu.

Legăturile de valență ale atomilor de Eu și a atomilor de Cd și Zn intercalați determină anizotropia proprietăților optice și electrice ale semiconductorilor GaS(Se) dopați cu Eu, și a compușilor GaS(Se, Te) și InSe intercalați cu Zn(Cd) din fază de vapori.

 Nivelele energetice de captură pentru electroni și de recombinare a purtătorilor de sarcină de neechilibru determină atât procesele de relaxare a fotoluminescenței și fotoconductibilității, cât și distribuțiile spectrale ale acestora.

 


Views: 411